W trakcie realizacji eksperymentów związanych z wytwarzaniem i stabilizacją cienkowarstwowych tranzystorów organicznych zaobserwowaliśmy interesujący efekt. Podczas obróbki końcowej warstwa półprzewodnika na bazie pochodnej naftalenodiimidu (NDI) domieszkowanej poli(3-heksylotiofenem) (P3HT) poddana działaniu par rozpuszczalnika nieoczekiwanie zmieniła charakter przewodnictwa z elektronowego na dziurowy. Efekt ten związany był z rekrystalizacją warstwy i prawdopodobnym wytworzeniem nowej fazy krystalicznej naftalenodiimidu w obecności P3HT. Ten niecodzienny efekt był już obserwowany wcześniej w układzie poddanym wygrzewaniu i także tam miał związek z rekrystalizacją. Więcej informacji na ten temat znajduje się w ostatniej pracy zespołu pt. "Electron-to Hole Transport Change Induced by Solvent Vapor Annealing of Naphthalene Diimide Doped with Poly(3-Hexylthiophene)" opublikowanej w sierpniowym numerze czasopisma Frontiers in Chemistry.